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APTGT75A120T

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  • APTGT75A120T1G
    APTGT75A120T1G

    APTGT75A120T1G

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP1

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • APTGT75A120T1G
    APTGT75A120T1G

    APTGT75A120T1G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • APTGT75A120T1G
    APTGT75A120T1G

    APTGT75A120T1G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-82999903

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原装

  • APTGT75A120T
    APTGT75A120T

    APTGT75A120T

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：张小姐

    电话：15961889159

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 14000

  • isc,iscsemi

  • N93X40-10L

  • 2024+

  • -

  • 国产品牌，可替代原装

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  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全称
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75A120T 技术参数
  • APTGT75A120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5345nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT75A1202G 功能描述:MOD IGBT 1200V 110A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.34nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTGT750U60D4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 1000A 2300W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1000A 功率 - 最大值:2300W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，800A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:49nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标准包装:1 APTGT600U170D4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 1100A 2900W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:51nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标准包装:1 APTGT600U120D4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 900A 2500W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:900A 功率 - 最大值:2500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:40nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标准包装:1 APTGT75DA60T1G APTGT75DDA60T3G APTGT75DH120T3G APTGT75DH120TG APTGT75DH60T1G APTGT75DH60TG APTGT75DSK60T3G APTGT75DU120TG APTGT75H120TG APTGT75H60T1G APTGT75H60T2G APTGT75H60T3G APTGT75SK120D1G APTGT75SK120T1G APTGT75SK120TG APTGT75SK170D1G APTGT75SK60T1G APTGT75TA120PG
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