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APTGT75H120T

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  • APTGT75H120TG
    APTGT75H120TG

    APTGT75H120TG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP4

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • APTGT75H120TG
    APTGT75H120TG

    APTGT75H120TG

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • APTGT75H120TG
    APTGT75H120TG

    APTGT75H120TG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-82999903

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原装

  • APTGT75H120TG-MODULE
    APTGT75H120TG-MODULE

    APTGT75H120TG-MODULE

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：13305449939

    地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 1899

  • MICROCHIP

  • NA

  • 近两年

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  • 查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

  • APTGT75H120T
    APTGT75H120T

    APTGT75H120T

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：张小姐

    电话：15961889159

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 8000

  • isc,iscsemi

  • N93X40-14L

  • 2024+

  • -

  • 国产品牌，可替代原装

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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全称
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75H120T 技术参数
  • APTGT75DU120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 100A 350W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:350W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.34nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT75DSK60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Buck Chopper 600V 100A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双路降压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT75DH60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 100A 250W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT75DH60T1G 功能描述:MOD IGBT 600V 100A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT75DH120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.34nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT75TA120PG APTGT75TA60PG APTGT75TDU120PG APTGT75TDU60PG APTGT75TL60T3G APTGT75X60T3G APTGTQ100A65T1G APTGTQ100DA65T1G APTGTQ100DDA65T3G APTGTQ100H65T3G APTGTQ100SK65T1G APTGTQ150TA65TPG APTGTQ200A65T3G APTGTQ200DA65T3G APTGTQ200SK65T3G APTGTQ50TA65T3G APTGV100H60BTPG APTGV100H60T3G
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