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APTM120SK68T1G

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APTM120SK68T1G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP1
17+
-
全新原装现货

1/1页 40条/页共6条
1

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功能描述
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM120SK68T1G 技术参数

APTM120SK56T1G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:672 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7736pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTM120SK29TG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:348 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:374nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM120SK15G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:748nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM120H57FTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:187nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM120H57FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:187nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTM20AM05FG APTM20AM05FTG APTM20AM06SG APTM20AM08FTG APTM20AM10FTG APTM20AM10STG APTM20DAM04G APTM20DAM05G APTM20DAM08TG APTM20DAM10TG APTM20DHM08G APTM20DHM10G APTM20DHM16T3G APTM20DHM16TG APTM20DHM20TG APTM20DUM04G APTM20DUM05G APTM20DUM05TG