APTM20AM10STG

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说明
操作

APTM20AM10STG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTM20AM10STG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP4
17+
-
全新原装现货

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1

您是不是要找： APTM20DAM04G APTM20DAM05G APTM20DAM08TG APTM20DAM10TG APTM20DHM08G APTM20DHM10G APTM20DHM16T3G APTM20DHM16TG APTM20DHM20TG

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功能描述
MOSFET MOD PHASE LEG SER/PAR SP4
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM20AM10STG 技术参数

APTM20AM10FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:175A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:224nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM20AM08FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:208A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM20AM06SG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.2 毫欧 @ 150A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:325nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18500pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM20AM05FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:333A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 166.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1184nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:40800pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM20AM05FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:317A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:448nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM20DUM04G APTM20DUM05G APTM20DUM05TG APTM20DUM08TG APTM20DUM10TG APTM20HM08FG APTM20HM10FG APTM20HM16FTG APTM20HM20FTG APTM20HM20STG APTM20SKM04G APTM20SKM05G APTM20SKM08TG APTM20SKM10TG APTM20TAM16FPG APTM20TDUM16PG APTM20UM03FAG APTM20UM04SAG