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APTMC60TLM20CT3AG

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说明
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APTMC60TLM20CT3AG
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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您是不是要找： APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
600 W 360 nC 17 mOhm Power Module Mosfet
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES

APTMC60TLM20CT3AG 技术参数

APTMC60TLM14CAG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（三级反相器） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:219A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTMC60TL11CT3AG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（三级反相器） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:49nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 1000V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC170AM60CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（相角） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:53A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 50A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2.5mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:190nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3080pF @ 1000V 功率 - 最大值:350W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTMC170AM30CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（相角） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:106A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:380nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6160pF @ 1000V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTMC120TAM34CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:74A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 15mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:161nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2788pF @ 1000V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ