APTP

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APTP-ABKPA012-001
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
14
AMPHENOL LTW
con
20578+
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格

APTP
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920317727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
69200
DO
SOT23-5
18+
-
全新原装，优势库存

APTP-ABKPA012-001
深圳市德会鑫科技有限公司
深圳市德会鑫科技有限公司
联系人：欧阳
电话：18672855211
地址：深圳市福田区华强北街道上步工业区 23 栋上航大厦 410-U
384514
AMPHENOLLTW
22+
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原厂原装，优惠热卖

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APTP 技术参数

APTML60U12R020T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 45A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:568W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 22.5A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SP1 封装/外壳:SP1 标准包装:1 APTML602U12R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 45A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTML50UM90R020T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:568W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:108 毫欧 @ 26A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SP1 封装/外壳:SP1 标准包装:1 APTML502UM90R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停產 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:52A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:108 毫欧 @ 26A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTML20UM18R010T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 109A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:109A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9880pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 50A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SP1 封装/外壳:SP1 标准包装:1 APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ APTS003A0X-SRDZ APTS003A0X-SRZ APTS006A0X4-SRZ APTS006A0X-SRDZ APTS006A0X-SRZ APTS012A0X3-SRDZ APTS012A0X3-SRZ APTS012A0X43-SRZ APTS020A0X3-SRDZ APTS020A0X3-SRZ APTS020A0X43-SRZ