BSS8402DWQ-7全国供应商【买卖IC网】BSS8402DWQ-7资料|PDF Datasheet|价格 Diodes Incorporated

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSS8402DWQ-7
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
DIODES(美台)
SOT363
刚到货
-
代理可含税开票

BSS8402DWQ-7
深圳市鹏展胜电子有限公司
深圳市鹏展胜电子有限公司
联系人：林先生
电话：0755-8276920313538142003
地址：深圳市福田区华强北街道佳和大厦A座2801
资质：营业执照
6000
DIODES/美台
SOT363
21+
-
原装正品，假一赔十！

BSS8402DWQ-7
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
DIODES/美台
NA
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BSS8402DWQ-7
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
407000
DIODES/美台
SOT363
23+
-
原厂原装正品现货

BSS8402DWQ-7
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Diodes Incorporated
SOT-363
17+
-
全新原装现货

BSS8402DWQ-7
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
90000
DIODES/美台
SOT-363
2020+
-
★★★真实库存，假一赔十，原厂授权★★★

BSS8402DWQ-7
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
DIODES/美台
SOT-363
23+
-
原装正品欢迎咨询

BSS8402DWQ-7
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
原厂封装
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

BSS8402DWQ-7
深圳市华思半导体技术有限公司
深圳市华思半导体技术有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-8329998313662227781
地址：华强北路华强广场B座27K
资质：营业执照
18000
DIODES/美台
原厂封装
23+
-
全新原装现货，特价支持

BSS8402DWQ-7
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3036
DIODES
SOT363
2211+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

BSS8402DWQ-7
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
2000
diodes
sot363
14+
-
进口原装现货，一定自己库存

BSS8402DWQ-7
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
DIODES INC.
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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功能描述
MOSFET N/P-CH 60V/50V
制造商
diodes incorporated
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
60V，50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
115mA，130mA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
13.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
200mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
标准包装
3,000

BSS8402DWQ-7 技术参数

BSS8402DW-7-F 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V，50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA，130mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BSS8402DW-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V，50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA，130mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BSS84_D87Z 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.3nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:73pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BSS84,215 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:45pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250mW（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 130mA，10V 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS84 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.3nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:73pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS84AKV,115 BSS84AKVL BSS84AKW,115 BSS84AKW-BX BSS84DW-7 BSS84DW-7-F BSS84LT1 BSS84LT1G BSS84P E6433 BSS84P H6327 BSS84P-E6327 BSS84PH6327XTSA1 BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6433XTMA1 BSS84PL6327HTSA1 BSS84PL6433HTMA1 BSS84PW BSS84PW L6327

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