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BUK9880-55/T3

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BUK9880-55/T3 技术参数
  • BUK9880-55/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):650pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8.3W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 5A,5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 标准包装:1 BUK9880-55,135 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 5A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 25V 功率 - 最大值:8.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BUK9875-100A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1690pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):72 毫欧 @ 8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 标准包装:1 BUK9875-100A,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7A SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):72 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1690pF @ 25V 功率 - 最大值:8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BUK9840-55/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta),10.7A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1400pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8.3W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 5A,5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 标准包装:1 BUK9D23-40EX BUK9E04-30B,127 BUK9E04-40A,127 BUK9E06-55A,127 BUK9E06-55B,127 BUK9E08-55B,127 BUK9E15-60E,127 BUK9E1R6-30E,127 BUK9E1R8-40E,127 BUK9E1R9-40E,127 BUK9E2R3-40E,127 BUK9E2R8-60E,127 BUK9E3R2-40B,127 BUK9E3R2-40E,127 BUK9E3R7-60E,127 BUK9E4R4-40B,127 BUK9E4R4-80E,127 BUK9E4R9-60E,127
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