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BZX884-C5V2

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BZX884-C5V2
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
NXP
原厂封装
17+
-
原装现货，优势供应

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BZX884-C5V2 技术参数

BZX884-C5V1,315 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C5V1 标准包装:1 BZX884-C56,315 功能描述:DIODE ZENER 56V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 39.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C56 标准包装:1 BZX884-C51,315 功能描述:DIODE ZENER 51V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 35.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C51 标准包装:1 BZX884-C4V7,315 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C4V7 标准包装:1 BZX884-C4V3,315 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C4V3 标准包装:1 BZY55B10 RYG BZY55B11 RYG BZY55B12 RYG BZY55B13 RYG BZY55B15 RYG BZY55B16 RYG BZY55B18 RYG BZY55B20 RYG BZY55B22 RYG BZY55B24 RYG BZY55B27 RYG BZY55B2V4 RYG BZY55B2V7 RYG BZY55B30 RYG BZY55B33 RYG BZY55B36 RYG BZY55B3V0 RYG BZY55B3V3 RYG