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C-SD16126SS6

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  • 制造商
  • Pentair Technical Products / Hoffman
  • 功能描述
  • Stainless Encl. 16.00x12.00x6.
C-SD16126SS6 技术参数
  • CSD16126 功能描述:BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件状态:在售 容器类型:盒 大小/尺寸:15.984" 长 x 12.008" 宽(406.00mm x 305.00mm) 高度:5.984"(152.00mm) 面积(L x W):192 in2(1239 cm2) 设计:铰链式门,盖 材料:金属 - 钢 颜色:灰色 厚度:18 号 特性:密封垫,壁装 等级:IP66,NEMA 4,12,13,UL-508A 材料可燃性等级:- 发货信息:从 Digi-Key 运送 重量:16 磅(7.3kg) 标准包装:1 CSD15571Q2 功能描述:MOSFET N-CH 20V 22A 6-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):419pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-SON(2x2) 标准包装:1 CSD15380F3T 功能描述:MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:新产品 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1190 毫欧 @ 100mA, 8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.35V @ 2.5μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.281nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10.5pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD15380F3 功能描述:MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:新产品 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1190 毫欧 @ 100mA, 8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.35V @ 2.5μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.281nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10.5pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD13385F5T 功能描述:12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.3A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):5nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):674pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 900mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:3-PICOSTAR 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 CSD16321Q5 CSD16321Q5C CSD16322Q5 CSD16322Q5C CSD16323Q3 CSD16323Q3C CSD16325Q5 CSD16325Q5C CSD16327Q3 CSD16327Q3T CSD16340Q3 CSD16340Q3T CSD16342Q5A CSD163CEVM-591 CSD16401Q5 CSD16401Q5T CSD16403Q5A CSD16404Q5A
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