JAN1N5629

配单专家企业名单

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说明
操作

JAN1N5629A
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
MSC
原厂封装
最新
-

JAN1N5629A
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Microsemi(美高森美)
DO-13(DO-202AA)
刚到货
-
代理可含税开票

JAN1N5629A
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
19
MSC
89
-
公司现货!只做原装!

JAN1N5629A
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
12635
Microchip Technology
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

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1

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JAN1N5629 技术参数

JAN1N5623US 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/429 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 12V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5623 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/429 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5622US 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/427 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 JAN1N5622 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/427 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 JAN1N5621US 功能描述:Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/429 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5646A JAN1N5647A JAN1N5648A JAN1N5649A JAN1N5651A JAN1N5652A JAN1N5653A JAN1N5655A JAN1N5660A JAN1N5711-1 JAN1N5711UR-1 JAN1N5772 JAN1N5802 JAN1N5802URS JAN1N5802US JAN1N5804 JAN1N5804URS JAN1N5804US