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PSMN035-150B,1

配单专家企业名单
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  • PSMN035-150B,118
    PSMN035-150B,118

    PSMN035-150B,118

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • NXP/恩智浦

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • PSMN035-150B,118
    PSMN035-150B,118

    PSMN035-150B,118

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

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  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

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  • 全新原装现货

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 638850

  • NXP

  • D2PAK

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  • PSMN035-150B,118
    PSMN035-150B,118

    PSMN035-150B,118

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • D2PAK

  • 22+

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  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • PSMN035-150B,118
    PSMN035-150B,118

    PSMN035-150B,118

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 18+

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  • MOSFET N-CH 150V 50A...

  • PSMN035-150B,118
    PSMN035-150B,118

    PSMN035-150B,118

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN035-150B,118
    PSMN035-150B,118

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  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室

    资质:营业执照

  • 61823

  • Nexperia

  • SMD

  • 22+

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  • 优势代理,公司现货可开票

  • PSMN035-150B,118
    PSMN035-150B,118

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • NXP

  • D2PAK

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  • 代理此型号.原装特价现货!

  • PSMN035-150B,118
    PSMN035-150B,118

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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 4872

  • Nexperia USA Inc.

  • TO-263-3

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • PSMN035-150B,118
    PSMN035-150B,118

    PSMN035-150B,118

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 100000

  • Philips Semiconducto

  • N/A

  • 15+

  • -
  • 原装正品 价格优势!

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PSMN035-150B,1 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
PSMN035-150B,1 技术参数
  • PSMN035-100LS,115 功能描述:MOSFET N-CH QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):32 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1350pF @ 50V 功率 - 最大值:65W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN3333(3.3x3.3) 标准包装:1 PSMN034-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):23.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1201pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):86W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):34.5 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN034-100BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):23.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1201pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):86W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):34.5 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN030-60YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):29A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):13nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):686pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):56W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24.7 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN030-150P,127 功能描述:MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55.5A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):98nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3680pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):250W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN050-80BS,118 PSMN050-80PS,127 PSMN057-200B,118 PSMN057-200P,127 PSMN059-150Y,115 PSMN063-150D,118 PSMN069-100YS,115 PSMN070-200B,118 PSMN070-200P,127 PSMN075-100MSEX PSMN085-150K,518 PSMN0R7-25YLDX PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-30ULDX PSMN0R9-30YLDX PSMN102-200Y,115 PSMN130-200D,118
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