STGF12NB60KD

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STGF12NB60KD
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
TO-220FP
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

STGF12NB60KD
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
STMicroelectronics
TO-220FP
17+
-
全新原装现货

STGF12NB60KD
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
TO-220FP
18+
-
IGBT 600V 14A 30W T...

STGF12NB60KD
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
TO-220F
2024+
-
国产品牌，可替代原装

STGF12NB60KD
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
STMicroelectronics
带卷（TR）
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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功能描述
IGBT N-CH 12A 600V TO-220FP
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
PowerMESH™
标准包装
30
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

STGF12NB60KD 技术参数

STGF10NC60SD 功能描述:IGBT 600V 10A 25W TP220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):25A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.65V @ 15V，5A 功率 - 最大值:25W 开关能量:60μJ（开），340μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 测试条件:390V，5A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:22ns 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGF10NC60KD 功能描述:IGBT 600V 9A 25W TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:9A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，5A 功率 - 最大值:25W 开关能量:55μJ（开），85μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 测试条件:390V，5A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:22ns 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGF10NB60SD 功能描述:IGBT 600V 23A 25W TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.75V @ 15V，10A 功率 - 最大值:25W 开关能量:600μJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:33nC 25°C 时 Td（开/关）值:700ns/1.2μs 测试条件:480V，10A，1 千欧，15V 反向恢复时间（trr）:37ns 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGF10H60DF 功能描述:IGBT 600V 20A 30W TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.95V @ 15V，10A 功率 - 最大值:30W 开关能量:83μJ（开），140μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 测试条件:400V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:107ns 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGE50NC60WD 功能描述:IGBT Module Single 600V 100A 260W Chassis Mount ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 零件状态:有效 IGBT 类型:- 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:260W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.6V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP 标准包装:10 STGF20M65DF2 STGF20NB60S STGF20V60DF STGF30H60DF STGF30M65DF2 STGF30NC60S STGF30V60DF STGF35HF60W STGF3HF60HD STGF3NB60FD STGF3NC120HD STGF4M65DF2 STGF5H60DF STGF6M65DF2 STGF6NC60HD STGF7H60DF STGF7NB60SL STGF7NC60HD