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参数资料
| 型号： | SM2T3V3A |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-216AA |
| 封装： | STMITE PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | SM2T3V3A |
1 Characteristics
SM2T3V3A
2/5
1
Characteristics
1.1
Thermal resistance
1.2
Electrical characteristics (Tamb = 25°C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-l)
Junction to leads
20
°C/W
Rth(j-a)
Junction to ambient on PCB with recommended pad layout
250
°C/W
Symbol
Parameter
VRM
Stand-off voltage.
VBR
Breakdown voltage.
VCL
Clamping voltage.
IRM
Leakage current @ VRM.
IPP
Peak pulse current.
αT
Voltage temperature coefficient
VF
Forward voltage drop
Type
IRM max @ VRM
VBR min @ IR
Note 1
VCL max @ IPP
10/1000 s
VCL max @ IPP
10/1000 s
αT
max
Note 2
C max
Note 3
A
V
mA
VA
10-4/°C
pF
SM2T3V3A
500
3.3
3.6
1
6.5
25
6.8
30
-5.3
2500
Note: 1 Pulse test tp < 50 ms
2
VBR = αT * (Tamb - 25) + VBR (25 °C)
3VR = 0 V, F = 1 MHz
I
I F
V F
V
VCL
VBR
VRM
I PP
I RM
V
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