| 型号: | SM6T150CA |
| 厂商: | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 4000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数: | 5/10页 |
| 文件大小: | 0K |
| 代理商: | SM6T150CA |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMV1225-001 | 5.6 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| SMV1409-001 | 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| SMV1225-000 | 5.6 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| SCD5A30 | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SA26C | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SM6T150CA/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM6T150CA/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM6T150CA/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM6T150CA/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM6T150CA/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |