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参数资料
型号： SM6T150CA
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： 4000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封装： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件页数： 7/10页
文件大小： 0K
代理商： SM6T150CA
Ordering information scheme
SM6T
6/10
Doc ID 3082 Rev 9
2
Ordering information scheme
Figure 12.
Ordering information scheme
SM
6 T 100
CA
Surface mount
Peak pulse power
Breakdown voltage
Types
6 = 600 W Transil in SMB
100 = 100 V
CA = Bidirectional
A = Unidirectional
相关PDF资料
PDF描述
SMV1225-001 5.6 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SMV1409-001 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SMV1225-000 5.6 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SCD5A30 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SA26C 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
SM6T150CA/1 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SM6T150CA/2 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SM6T150CA/52 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SM6T150CA/55 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SM6T150CA/5B 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 5% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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