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参数资料
| 型号： | SM6T36A |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SM6T36A |
SM6T
Characteristics
Doc ID 3082 Rev 9
3/10
Table 3.
Electrical characteristics, parameter values (Tamb = 25 °C)
Order code
IRM max@VRM
VBR @IR
(1)
VCL @IPP
10/1000 s
RD
10/1000 s
VCL @IPP
8/20 s
RD
8/20 s
αT (2)
25 °C 85 °C
min
typ
max
A
V
mA
V(3)
A(4)
Ω
Ω
10-4/ °C
SM6T6V8A/CA
20
50
5.8
6.45
6.8
7.14
10
10.5
57
0.059
13.4 298
0.021
5.7
SM6T7V5A/CA
20
50
6.4
7.13
7.5
7.88
10
11.3
53
0.065
14.5 276
0.024
6.1
SM6T10A/CA
20
50
8.55 9.5
10
10.5
1
14.5
41
0.098
18.6 215
0.038
7.3
SM6T12A/CA
0.2
1
10.2 11.4
12
12.6
1
16.7
36
0.114
21.7 184
0.049
7.8
SM6T15A/CA
0.2
1
12.8 14.3
15
15.8
1
21.2
28
0.193
27.2 147
0.078
8.4
SM6T18A/CA
0.2
1
15.3 17.1
18
18.9
1
25.2
24
0.263
32.5 123
0.111
8.8
SM6T22A/CA
0.2
1
18.8 20.9
22
23.1
1
30.6
20
0.375
39.3 102
0.159
9.2
SM6T24A/CA
0.2
1
20.5 22.8
24
25.2
1
33.2
18
0.444
42.8
93
0.189
9.4
SM6T27A/CA
0.2
1
23.1 25.7
27
28.4
1
37.5
16
0.569
48.3
83
0.240
9.6
SM6T30A/CA
0.2
1
25.6 28.5
30
31.5
1
41.5
14.5
0.690
53.5
75
0.293
9.7
SM6T33A/CA
0.2
1
28.2 31.4
33
34.7
1
45.7
13.1
0.840
59.0
68
0.357
9.8
SM6T36A/CA
0.2
1
30.8 34.2
36
37.8
1
49.9
12
1.01
64.3
62
0.427
9.9
SM6T39A/CA
0.2
1
33.3 37.1
39
41.0
1
53.9
11.1
1.16
69.7
57
0.504
10.0
SM6T56A/CA
0.2
1
47.6 53.2
56
58.8
1
76.6
7.8
2.28
100
40
1.030
10.0
SM6T68A/CA
0.2
1
58.1 64.6
68
71.4
1
92
6.5
3.17
121
33
1.503
10.4
SM6T75A/CA
0.2
1
64.1 71.3
75
78.8
1
103
5.8
4.17
134
30
1.84
10.5
SM6T100A/CA
0.2
1
85.5 95.0 100
105
1
137
4.4
7.27
178 22.5
3.24
10.6
SM6T150A/CA
0.2
1
128 143
150
158
1
207
2.9
16.9
265
15
7.13
10.8
SM6T200A/CA
0.2
1
171 190
200
210
1
274
2.2
29.1
353 11.3
12.7
10.8
SM6T220A/CA
0.2
1
188 209
220
231
1
328
2
48.5
388 10.3
15.2
10.8
1.
Pulse test : tp < 50 ms
2.
To calculate VBR versus junction temperature, use the following formula: VBR @ TJ = VBR @ 25°C x (1 + αT x (TJ – 25)).
3.
To calculate maximum clamping voltage at other surge level, use the following formula: VCL = RD x IPP + VBRmax.
4.
Surge capability given for both directions for unidirectional and bidirectional types.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SET010304 | 15 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SET010319 | 10 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SDHN15K | 0.8 A, 15000 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SDC15 | 40 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| SM15T10 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SM6T36A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 36V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM6T36A/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 36V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM6T36A/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 36V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM6T36A/5 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 36V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM6T36A/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 36V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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