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参数资料
| 型号： | SM6T36A |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SM6T36A |
SM6T
Characteristics
Doc ID 3082 Rev 9
5/10
Figure 6.
Capacitance versus reverse
applied voltage for unidirectional
types (typical values)
Figure 7.
Capacitance versus reverse applied
voltage for bidirectional types
(typical values)
C (pF)
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
F=1 MHz
V
osc=30 mVRMS
T
j=25 °C
SM6T6V8A
SM6T15A
SM6T30A
SM6T68A
SM6T100A
SM6T220A
V(V)
R
C (pF)
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
F=1 MHz
V
osc=30 mVRMS
T
j=25 °C
SM6T6V8CA
SM6T15CA
SM6T30CA
SM6T68CA
SM6T100CA
SM6T220CA
V(V)
R
Figure 8.
Peak forward voltage drop versus
peak forward current
(typical values)
Figure 9.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
FM(A)
T
j =25 °C
T
j =125 °C
VFM(V)
Zth (j-a)/Rth (j-a)
0.01
0.10
1.00
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
Recommended pad layout
Printed circuit board FR4, copper thickness = 35 m
s
tp
Figure 10.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under each lead
Figure 11.
Leakage current versus junction
temperature (typical values)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
R
th(j-a) (°C/W)
(printed circuit board FR4,
copper thickness = 35 m)
SCu(cm)
I
R (nA)
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
25
50
75
100
125
150
V
R=VRM
V
RM ≥ 10 V
V
R=VRM
V
RM < 10 V
T (° C)
j
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SET010304 | 15 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SET010319 | 10 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SDHN15K | 0.8 A, 15000 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SDC15 | 40 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| SM15T10 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SM6T36A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 36V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM6T36A/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 36V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM6T36A/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 36V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM6T36A/5 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 36V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM6T36A/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 36V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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