型号: | SM8S30A-2E |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
封装: | PLASTIC PACKAGE-1 |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 89K |
代理商: | SM8S30A-2E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SM8S22A-2D | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM8S12A-E3/2D | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM8S36A-E3/2D | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM8S14A | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM8S17-2D | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SM8S30A-E3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8W 30V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM8S30A-E3/2E | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 30V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM8S30AHE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 30V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM8S30AHE3/2E | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 30V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SM8S30AHE32D | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount PAR?? Transient Voltage Suppressors High Temperature Stability and High Reliability Conditions |