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参数资料
| 型号： | SMAJ13C |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | SMAJ13C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SMAJ30 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ11CA | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ58CA | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ150A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ40A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMAJ13C/11 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 13V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ13C/5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 13V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ13C/61 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 13V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ13C/63 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 13V 10% Bi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMAJ13CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 13volts 5uA 18.6 Amps Bi-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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