型号: | SMAJ6.5CA |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
封装: | PLASTIC, SIMILAR TO DO-214AC OR BA, SMAJ, 2 PIN |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 206K |
代理商: | SMAJ6.5CA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMAJ70C | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SVC348 | 55 pF, 16 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
SB1100TR | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
SDA37AUFTXV | 3 PHASE, 3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
SDA803BTX | 6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMAJ65CA13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
SMAJ7.0 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 7Vr 400W 33.3A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ7.0A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 7volts 200/400uA 33.3 Amps Uni-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMAJ7.0A R2 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 7V 400W 2-Pin SMA T/R |
SMAJ7.0A/11 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 7.0V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |