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参数资料
| 型号： | SMB8J14CAHE3/52 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | SMB8J14CAHE3/52 |
SMB10(8)J5.0(C) thru SMB10(8)J40(C)A
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88422
Revision: 22-Oct-08
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5
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 5. Typical Transient Thermal Impedance
1.0
10
100
0.01
0.1
10
1
100
1000
tp - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
Figure 6. Maximum Non-Repetitive Forward Surge Current
10
200
100
1
10
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Uni-Directional Only
Mounting Pad Layout
0.085 (2.159)
MAX.
0.086 (2.18)
MIN.
0.060 (1.52)
MIN.
0.220 REF.
DO-214AA (SMB)
Cathode Band
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SMB8J14CHE3/52 | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SMB8J14C-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 800W 14V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMB8J14C-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 800W 14V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMB8J14C-E3/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 800W 14V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMB8J14C-E3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 800W 14V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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