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参数资料
| 型号： | SMBG5.0C |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SMBG5.0C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ18CA | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ26CA | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SM18PHN134 | 120 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SW25CXC18C | 5100 A, 3400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SB802G | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBG51 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:SURFACE MOUNT TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
| SMBG51/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 51V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG51/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 51V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG51/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 51V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG51/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 51V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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