参数资料
型号: SMBJ110A-13
厂商: Diodes Inc
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文件大小: 0K
描述: TVS UNI-DIR 110V 600W SMB
产品目录绘图: SMBJ Series Side
SMBJ Series Top
标准包装: 1
系列: SMBJ
电压 - 反向隔离(标准值): 110V
电压 - 击穿: 122V
功率(瓦特): 600W
电极标记: 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商设备封装: SMB
包装: 标准包装
其它名称: SMBJ110ADIDKR
SMBJ5.0(C)A - SMBJ170(C)A
100
75
10,000
Uni-directional
Measured at
zero bias
1000
50
Bi-directional
100
25
0
10 X 1000 Waveform
as defined by REA
10
T j = 25 ° C
f = 1.0 MHz
V sig = 50 mV p-p
0
25
50
75
100
125
150
175 200
1
10
100
1000
100
10
1.0
0.1
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 1 Pulse Derating Curve
T j = 25 ° C
Non Repetitive
Pulse Waveform
Shown in Fig. 4
V RWM , REVERSE STANDOFF VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Total Capacitance
0.1
1.0
10
100
1000
10000
t, TIME (ms)
Fig. 4 Pulse Waveform
120
Pulse Width 8.3ms
5.0
100
Single Half-Sine-Wave
4.0
80
3.0
60
2.0
40
1.0
20
0
1
2
5
10
20
50
100
0.0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
Fig. 5 Maximum Non-Repetitive Surge Current
T L , LEAD TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 6 Steady State Power Derating Curve
SMBJ5.0(C)A - SMBJ170(C)A
Document number: DS19002 Rev. 17 - 2
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June 2009
? Diodes Incorporated
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参数描述
SMBJ110A-13-F 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110.0V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ110A-7 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 110V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ110A-7P 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 110V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ110AE3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 110V 600W 2PIN DO-214AA - Bulk
SMBJ110A-E3/1 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C