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参数资料
| 型号： | SMBJ30-W |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | SMBJ30-W |
Mounting Pad Layout
RECTRON
0.083 MIN.
(2.10 MIN.)
0.050 MIN.
(1.27 MIN.)
0.220 REF
0.106 MAX.
(2.69 MAX.)
Dimensions in inches and (millimeters)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SMBJ70CA-W | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
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| SMBJ15 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ48CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SMBJ33 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33Vr 600W 11.3A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ33/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ33/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ33/2 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SMB 600W 33V |
| SMBJ33/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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