型号: | SMBJ3V3-HE3/52 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 94K |
代理商: | SMBJ3V3-HE3/52 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ3V3HE3/5B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ5292 | SILICON, RECTIFIER DIODE |
MV5290 | SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-7 |
MX5293 | SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-7 |
SMBJ5291 | SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ3V3-M3/52 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:600W,3.3V UNIDIR,SMB TVS |
SMBJ3V3-M3/5B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:600W,3.3V UNIDIR,SMB TVS |
SMBJ40 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 40Vr 600W 9.3A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ40/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 40V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ40/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 40V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |