型号: | SMBJ54CT3 |
厂商: | CRYDOM CORP |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 180K |
代理商: | SMBJ54CT3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ64CT3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ75T1 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMST4004-SOT23-2 | SILICON, MIXER DIODE |
SMST4012-SOT23-2 | SILICON, MIXER DIODE |
SMPN7320-SOT23-1S | 100 V, SILICON, PIN DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ54E3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 54V 600W 2PIN DO-214AA - Bulk |
SMBJ54-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 54V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ54-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 54V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ54-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 54V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ54-E3/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 54V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |