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参数资料
| 型号： | SMCJ130E3/TR13 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 475K |
| 代理商： | SMCJ130E3/TR13 |
1500W Transient Voltage Suppressor (TVS) protection device
www.Microsemi.com
5/6
Copyright
2009
Aug Rev A
SMCJ5.0e3 to SMCJ440CAe3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMCJ48AE3/TR13 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
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| SMCJ7.0CE3/TR13 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMCJ78E3/TR13 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SB850DCT/R13 | 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMCJ130HE3/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 130V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ130HE3/59T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 130V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ130HE3/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 130V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ13A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 13Vr 1500W 69.8A 5% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ13A R6 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 13V 1.5KW 2-Pin SMC T/R |
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