型号: | SMCJ78E3/TR13 |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 475K |
代理商: | SMCJ78E3/TR13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SB850DCT/R13 | 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
SR22T/R13 | 2 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC |
SD550YT | 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-251AB |
SF805G | 4 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
S1D-M3/61T | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMCJ78HE3/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 78V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ78HE3/59T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 78V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ78HE3/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 78V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ7V0A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 7V 1500W SMC Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ7V0CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 7V 1500W SMC Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |