型号: | SMCJ26HE3/9AT |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 106K |
代理商: | SMCJ26HE3/9AT |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMCJ78AHE3/9AT | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SB5H90HE3/54 | 5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
SS24HE3/52T | 2 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
SL23HE3/52T | 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
SMBJ5354B-TR | 17 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMCJ28 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 28Vr 1500W 33.1A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ28/51T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 28V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ28/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 28V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ28/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 28V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ28A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 28volts 5uA 33 Amps Uni-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |