参数资料
型号: SMCJ60E3/TR13
厂商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分类: TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述: 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
文件页数: 5/6页
文件大小: 475K
代理商: SMCJ60E3/TR13
1500W Transient Voltage Suppressor (TVS) protection device
www.Microsemi.com
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Copyright
2009
Aug Rev A
SMCJ5.0e3 to SMCJ440CAe3
相关PDF资料
PDF描述
SMCJ7.0CE3/TR13 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
SMCJ78E3/TR13 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
SB850DCT/R13 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
SR22T/R13 2 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC
SD550YT 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-251AB
相关代理商/技术参数
参数描述
SMCJ60HE3/57T 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 60V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMCJ60HE3/9AT 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 60V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMCJ64 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 64Vr 1500W 14.6A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMCJ64/57T 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 64V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMCJ64/59T 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 64V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C