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参数资料
| 型号： | SMF05T2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TVS ARRAY QUAD ESD SOT-323 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 6V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 |
| 供应商设备封装： | SOT-353 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | SMF05T2GOSCT |
SMF05T1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25 ° C unless otherwise noted)
I
Symbol
I PP
V C
Parameter
Maximum Reverse Peak Pulse Current
Clamping Voltage @ I PP
I F
I R V F
V RWM
I R
V BR
Working Peak Reverse Voltage
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
Breakdown Voltage @ I T
V C V BR V RWM
I T
V
I T
I F
Test Current
Forward Current
V F
P pk
C
Forward Voltage @ I F
Peak Power Dissipation
Capacitance @ V R = 0 and f = 1.0 MHz
I PP
Uni ? Directional TVS
*See Application Note AND8308/D for detailed explanations of
datasheet parameters.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Device
Breakdown
Voltage
V BR @ 1 mA
(V)
Min Max
Leakage
Current
I R @ V RWM =
5 V ( m A)
Max
Capacitance
@ 0 V Bias
(pF)
Max
Max V F @
I F = 200 mA
(V)
Max Clamping
Voltage (V C )
@ I PP (Note 2)
I PP (A) V C (V)
Max Clamping
Voltage (V C )
@ I PP (Note 2)
I PP (A) V C (V)
V C
Per IEC61000 ? 4 ? 2
(Note 3)
SMF05
6.0
7.2
5.0
90
1.25
1.0
9.5
12
12.5
Figures 1 and 2
See Below
2. Non ? repetitive current per Figure 5. Derate per Figure 6.
3. For test procedure see Figures 3 and 4 and Application Note AND8307/D.
Figure 1. ESD Clamping Voltage Screenshot
Positive 8 kV Contact per IEC61000 ? 4 ? 2
Figure 2. ESD Clamping Voltage Screenshot
Negative 8 kV Contact per IEC61000 ? 4 ? 2
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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