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参数资料
| 型号： | SMF05T2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TVS ARRAY QUAD ESD SOT-323 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 6V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 |
| 供应商设备封装： | SOT-353 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | SMF05T2GOSCT |
SMF05T1
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
1.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. Pulse Derating Curve
100
BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance
0.1
10
0.01
2.5 m s SQUARE WAVE
0.001
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.0
0
5.0
10
15
20
25
30
100
10
1.0
V F , FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Forward Voltage
2.5 m s SQUARE WAVE
1000
100
10
V C , CLAMPING VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Clamping Voltage versus Peak
Pulse Current (Reverse Direction)
NOTE: Non ? Repetitive Surge.
0.1
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
1
1
10
100
1000
V C , FORWARD CLAMPING VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Clamping Voltage versus Peak
Pulse Current (Forward Direction)
http://onsemi.com
4
t, TIME ( m s)
Figure 11. Pulse Width
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMLJ90CA | DIODE TVS 90V 3000W BI 5% SMD |
| SMP3V3-M3/85A | TVS 400W UNIDIR 3.3V SMP |
| SMPC8.0A-M3/86A | TVS 1.5KW UNIDIR 8.0V 5% SMPC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SMF06020 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:Power Optimized GaAs FET |
| SMF-06020 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:Power Optimized GaAs FET |
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