型号: | SMF33A-M-GS18 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMF, 2 PIN |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 73K |
代理商: | SMF33A-M-GS18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SDA276EFSTXV | 3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
SA7-HF-W | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
SB250-AP | 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
SER30KE40 | 30 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SMZJ3793A-E3/52 | 15 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMF33AT1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33V 200W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMF33AT1G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33V 200W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMF33A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 53.3V 200W 3.8A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMF33CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 200W, 53.3V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMF33K3JT | 功能描述:金属膜电阻器 - SMD 3.3KOhms 3Watt 500V RoHS:否 制造商:Panasonic Electronic Components 电阻:750 Ohms 容差:0.1 % 功率额定值:250 mW (1/4 W) 电压额定值: 外壳代码 - in:1210 外壳代码 - mm:3225 温度系数: 工作温度范围: 系列: |