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参数资料
型号： SMF33A-M-GS18
厂商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封装： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMF, 2 PIN
文件页数： 5/6页
文件大小： 73K
代理商： SMF33A-M-GS18
Document Number: 83355
For technical questions, contact: ESDprotection@vishay.com
www.vishay.com
Rev. 1.0, 22-Sep-10
5
SMF5V0A-M to SMF51A-M
Surface Mount ESD Protection
Diodes
Vishay Semiconductors
BLISTERTAPE DIMENSIONS in millimeters (inches)
18513
PS
Document-No.: S8-V-3717.02-001 (3)
相关PDF资料
PDF描述
SDA276EFSTXV 3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
SA7-HF-W 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
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SER30KE40 30 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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相关代理商/技术参数
参数描述
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SMF33AT1G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33V 200W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMF33A-TP 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 53.3V 200W 3.8A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMF33CA-TP 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 200W, 53.3V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMF33K3JT 功能描述:金属膜电阻器 - SMD 3.3KOhms 3Watt 500V RoHS:否 制造商:Panasonic Electronic Components 电阻:750 Ohms 容差:0.1 % 功率额定值:250 mW (1/4 W) 电压额定值: 外壳代码 - in:1210 外壳代码 - mm:3225 温度系数: 工作温度范围: 系列:
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