| 型号: | SMMBV809LT1 |
| 厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类: | 变容二极管 |
| 英文描述: | UHF BAND, 5.3 pF, 20 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB |
| 封装: | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件页数: | 1/3页 |
| 文件大小: | 46K |
| 代理商: | SMMBV809LT1 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMP1000G-JQ | PIN PHOTO DIODE |
| SMP1321-015 | SILICON, PIN DIODE |
| SMP400G-BA | PIN PHOTO DIODE |
| SMP400G-BCG1 | PIN PHOTO DIODE |
| SMP525G-FN | PIN PHOTO DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMMD196-9-0-9 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:DISP C/W CASSETTE WH, 0-9 AWG16-10 |
| SMMDL6050T1G | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 SS SWCH DIO 70V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SMMDL914T1G | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 SS SWCH DIO 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SMMDT118-9-0-9 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:DISP.C/W TOOLWH:0-9 AWG22-16 |
| SMMDT196-4-0-9 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:DISP.C/W TOOLYEL: 0-9 AWG16-10 |