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参数资料
| 型号： | SMTV3010-SOT23 |
| 元件分类： | 变容二极管 |
| 英文描述： | KU BAND, 10 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 648K |
| 代理商： | SMTV3010-SOT23 |
Revision Date: 10/24/05
30 V Silicon Varactor Diodes
MSV34,000, SMTD & SMTV Series
Description
The work horse of varactors these diodes are built tough with
fully passivated mesa construction and Aeroex / Metelics tri-
metallization. Featuring a nominal gamma of 0.46 these diodes
nd application in tunable lters and oscillators up to 18 GHz.
Features
0 to 30 Volt tuning voltage
Tuning ratios up to 4.7 typical
Screening per MIL-PRF-19500
and MIL-PRF-35834 available
Absolute Maximum Ratings
Parameters
Rating
Reverse Voltage
30 V
Forward Current
100 mA
Power Dissipation
Chip
E28, E28X, SOD323, SOT23 & 0805-2
H20, P55 & T86
250 mW at T
C = 25 °C, derate linearly to zero at TC = +200 °C
100 mW at T
A = 25 °C, derate linearly to zero at TA = +150 °C
100 mW at T
A = 25 °C, derate linearly to zero at TA = +200 °C
Operating Temperature
Chip
E28, E28X, SOD323, SOT23 & 0805-2
H20, P55 & T86
-65
°C to +200 °C
-65
°C to +150 °C
-65
°C to +200 °C
Storage Temperature
Same as operating temperature.
Soldering Temperature
Chip
Packaged
+320
°C for 10 seconds
+260
°C peak per JEDEC J-STD-20C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSV34082-0805-2 | KU BAND, 3.86 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MSV34082-H20 | KU BAND, 3.98 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MSV34060-E28X | KU BAND, 0.48 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MSV34069 | KU BAND, 1 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| SMTV3008-SOT23 | KU BAND, 8 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMTY12A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 Low voltage TVS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMTY18AM | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 Lo FORWARD Vltg TVS Transky RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMTY5.0A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 Low voltage TVS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMTYF12A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 Low Volt TVS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMTYF18A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 Low Volt TVS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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