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参数资料
| 型号： | SMTY12A |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | SMTY12A |
Characteristics
SMTYxxA
2/7
1
Characteristics
Table 1.
Absolute ratings (limiting value)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Vpp
IEC 61000-4-2 level 4 standard
Air discharge
Contact discharge
15
8
kV
P
Power dissipation on infinite heatsink
Tamb = 25° C
4
W
PPP
Peak pulse Power dissipation (1)
1.
10/1000s pulse waveform
Tj initial = Tamb
600
W
IFSM
Non repetitive surge peak forward current
tp=10 ms
Tj initial = Tamb
40
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to +175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature (2)
2.
thermal runaway condition for a Transky
150
°C
Table 2.
Thermal resistance
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-a)
Junction to ambient on printed circuit
120
°C/W
Rth(j-l)
Junction to lead
30
°C/W
Table 3.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
IRM
Leakage current @ VRM
VRM
Stand-off voltage
VBR
Breakdown voltage
IR
Reverse leakage current
VCL
Clamping voltage
IPP
Peak pulse current
VF
Forward voltage drop
IRM max @ VRM
IRM max @
VRM @ 85° C
VBR min @ IR
VCLmax @ IPP
10/1000 s
VF max
@ 1A (1)
1.
Pulse test tp = 500 s, δ < 2%
αT max
A
V
mA
V
mA
V
A
V
10-4/°C
SMTY5.0A
10
5
0.5
5
6.4
10
9
43.5
0.48
10
SMTY12A
20
12
1.2
12
13.2
1
18.5
31
0.48
10
dPtot
dTj
---------------
1
Rth j
a
–
()
--------------------------
<
V
CLVBR VRM
I
RM
I
R
I
PP
V
I
F
V
F
V
CLVBR VRM
I
RM
I
R
I
PP
V
I
F
V
F
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