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参数资料
| 型号： | SMTY12A |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | SMTY12A |
SMTYxxA
Characteristics
3/7
Figure 1.
Pulse waveform (10/1000 s)
Figure 2.
Peak pulse power versus
exponential pulse duration
(Tj initial = 25° C)
Pulse waveform 10/1000 s
tp = 10 s
1000 s
I
1.E-01
1.E+00
1.E+01
0.01
0.10
1.00
10.00
P
pp(kW)
T
j initial = 25 °C
tp(ms)
Figure 3.
Relative variation of peak pulse
power versus initial junction
temperature
Figure 4.
Average power dissipation versus
ambient temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
25
50
75
100
125
150
175
%
Tj(°C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
25
50
75
100
125
150
P(W)
R
th(j-a)=Rth(j-l)
R
th(j-a)=120 °C/W
(PCB FR4, recommended pad layout)
Tamb(°C)
Figure 5.
Variation of thermal impedance,
junction to ambient, versus pulse
duration (Epoxy, FR4, eCu = 35 m)
Figure 6.
Thermal resistance, junction to
ambient, versus copper surface
under each lead (printed circuit
board FR4, eCu = 35 m)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)(°C/W)
S
CU=3 mm
Recommended pad layout
tp(s)
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
R
th(j-a) (°C/W)
SCU(cm)
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PDF描述 |
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