参数资料
型号: SN74V273-15GGM
厂商: Texas Instruments, Inc.
英文描述: 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
中文描述: 8192】18,16384】18,32768】18,65536】18的3.3V的CMOS先入先出存储器
文件页数: 15/52页
文件大小: 762K
代理商: SN74V273-15GGM
SN74V263, SN74V273, SN74V283, SN74V293
8192
×
18, 16384
×
18, 32768
×
18, 65536
×
18
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS669D
JUNE 2001
REVISED FEBRUARY 2003
15
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
absolute maximum ratings over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
Terminal voltage range with respect to GND, V
TERM
Continuous output current, I
O
(V
O
= 0 to V
CC
)
Storage temperature range, T
stg
Stresses beyond those listed under
absolute maximum ratings
may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and
functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under
recommended operating conditions
is not
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.
0.5 V to 4.5 V
±
50 mA
55
°
C to 125
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
recommended operating conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
VCC
GND
Supply voltage (see Note 1)
3.15
3.3
3.45
V
Supply voltage
0
0
0
V
VIH
VIL
TA
High-level input voltage (see Note 2)
2
5.5
V
Low-level input voltage
0.8
V
°
C
Operating free-air temperature
1. VCC = 3.3 V
±
0.15 V, JESD8-A compliant
2. Outputs are not 5-V tolerant.
0
70
NOTES:
electrical characteristics over recommended operating conditions (unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNIT
VOH
VOL
II
IOZ
ICC1
ICC2
ICC3
CIN
COUT
IOH =
2 mA
IOL = 8 mA
VI = 0.4 V to VCC
OE
VIH,
×
9 input to
×
9 output,
×
18 input to
×
18 output,
Standby,
2.4
V
0.4
±
1
±
10
30
V
μ
A
μ
A
mA
VO = 0.4 V to VCC
See Notes 3, 4, and 5
See Notes 3, 4, and 5
35
mA
See Notes 3 and 6
TA = 25
°
C,
TA = 25
°
C,
15
mA
VI = 0,
VO = 0,
f = 1 MHz
10
pF
f = 1 MHz,
Output deselected (OE
VIH)
10
pF
NOTES:
3. Tested with outputs open (IOUT = 0)
4. RCLK and WCLK switch at 20 MHz and data inputs switch at 10 MHz.
5. For
×
18 bus widths, typical ICC2 = 5 + fS + 0.02
×
CL
×
fS (in mA); for
×
9 bus widths, typical ICC1 = 5 + 0.775 fS + 0.02
×
CL
×
fS (in
mA). These equations are valid under the following conditions:
VCC = 3.3 V, TA = 25
°
C, fS = WCLK frequency = RCLK frequency (in MHz, using TTL levels), data switching at fS/2, CL = capacitive
load (in pF).
6. All inputs = (VCC
0.2 V) or (GND + 0.2 V), except RCLK and WCLK, which switch at 20 MHz.
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参数描述
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SN74V273-6GGM 功能描述:先进先出 16384 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:
SN74V273-6PZA 功能描述:先进先出 16384 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:
SN74V273-7GGM 功能描述:先进先出 16384 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:
SN74V273-7PZA 功能描述:先进先出 16384 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: