- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录374873 > SN74V283-15GGM (Texas Instruments, Inc.) 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SN74V283-15GGM |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| 中文描述： | 8192】18，16384】18，32768】18，65536】18的3.3V的CMOS先入先出存储器 |
| 文件页数： | 2/52页 |
| 文件大小： | 762K |
| 代理商： | SN74V283-15GGM |
第1页当前第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页
SN74V263, SN74V273, SN74V283, SN74V293
8192
×
18, 16384
×
18, 32768
×
18, 65536
×
18
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS669D
–
JUNE 2001
–
REVISED FEBRUARY 2003
2
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
PZA PACKAGE
(TOP VIEW)
22 23
RT
OE
V
CC
Q17
Q16
GND
GND
Q15
Q14
V
CC
Q13
Q12
GND
Q11
GND
Q10
V
CC
Q9
Q8
Q7
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
24
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
WEN
SEN
DNC
V
CC
DNC
IW
GND
D17
V
CC
D16
D15
D14
D13
GND
D12
D11
D10
D9
D8
V
CC
25 26 27 28
F
79 78 77 76 75
80
74
M
L
F
F
P
O
F
Q
G
G
D
D
D
D
D
D
72 71 70
73
29 30 31 32 33
69 68
21
D
I
67 66 65 64
34 35 36 37
Q
Q
G
Q
H
P
P
E
W
P
Q
G
38 39 40
R
R
63 62 61
V
C
B
R
C
V
D
Q
Q
DNC = Do not connect
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SN74V283-6GGM | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V283-7GGM | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V293-10GGM | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V293-15GGM | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V293-7GGM | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SN74V283-15PZA | 功能描述:先进先出 32768 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V283-15PZAG4 | 制造商:Texas Instruments 功能描述:FIFO SYNC DUAL DEPTH/WIDTH UNI-DIR 32KX18/64KX9 80LQFP - Rail/Tube |
| SN74V283-6GGM | 功能描述:先进先出 32768 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V283-6PZA | 功能描述:先进先出 32768 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V283-7GGM | 功能描述:先进先出 32768 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。