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参数资料
| 型号： | SN74V283-7GGM |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| 中文描述： | 8192】18，16384】18，32768】18，65536】18的3.3V的CMOS先入先出存储器 |
| 文件页数： | 17/52页 |
| 文件大小： | 762K |
| 代理商： | SN74V283-7GGM |
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SN74V263, SN74V273, SN74V283, SN74V293
8192
×
18, 16384
×
18, 32768
×
18, 65536
×
18
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS669D
–
JUNE 2001
–
REVISED FEBRUARY 2003
17
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
From Output
Under Test
30 pF
(see Note B)
510
330
3.3 V
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load for tCLK = 10 ns, 15 ns
Output Load for tCLK = 7.5 ns
GND to 3.0 V
3 ns (see Note A)
1.5 V
1.5 V
See A
See B and C
AC TEST CONDITIONS
50
VCC/2
ZO = 50
I/O
B. AC TEST LOAD
FOR 6- AND 7.5-SPEED GRADE
A. OUTPUT LOAD CIRCUIT FOR 10- AND 15-SPEED GRADES
0
1
2
3
4
5
6
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200
Capacitance
–
pF
C. LUMPED CAPACITIVE LOAD, TYPICAL DERATING
T
C
–
NOTES: A. For 133-MHz and 166-MHz operation, input rise/fall times are 1.5 ns.
B. Includes probe and jig capacitance
Figure 2. Load Circuits
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PDF描述 |
|---|---|
| SN74V293-10GGM | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
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| SN75112A | DUAL LINE DRIVERS |
| SN75151DW | QUAD DIFFERENTIAL LINE DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SN74V283-7PZA | 功能描述:先进先出 32768 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V283PZAEP | 功能描述:先进先出 Mil Enhance 32768x18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V293-10GGM | 功能描述:先进先出 65536 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V293-10PZA | 功能描述:先进先出 65536 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V293-15GGM | 功能描述:先进先出 65536 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
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