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参数资料
| 型号： | SN74V283-7GGM |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| 中文描述： | 8192】18，16384】18，32768】18，65536】18的3.3V的CMOS先入先出存储器 |
| 文件页数： | 3/52页 |
| 文件大小： | 762K |
| 代理商： | SN74V283-7GGM |
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SN74V263, SN74V273, SN74V283, SN74V293
8192
×
18, 16384
×
18, 32768
×
18, 65536
×
18
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS669D
–
JUNE 2001
–
REVISED FEBRUARY 2003
3
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
B
C
D
E
F
G
H
J
K
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VCC
V
CC
VCC
NC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
NC
WCLK
PRS
LD
GND
BE
PFM
RCLK
RT
SEN
WEN
MRS
FF/IR
FSEL0
FSEL1
PAE
RM
REN
OE
DNC
DNC
VCC
FWFT/
SI
OW
HF
IP
EF/OR
Q17
GND
GND
GND
GND
GND
IW
D17
PAF
NC
Q16
D16
D15
GND
GND
Q15
Q14
D14
D13
GND
VCC
Q13
Q12
NC
D12
D11
VCC
Q2
GND
GND
GND
Q11
D10
D9
D5
D1
Q0
GND
VCC
Q9
Q10
D8
D7
GND
GND
D3
Q1
Q3
Q5
Q7
Q8
D6
D4
D2
D0
GND
GND
Q4
Q6
DNC = Do not connect
GGM PACKAGE
(TOP VIEW)
A
NC
NC
NC
NC
description (continued)
The frequencies of both the RCLK and the WCLK signals can vary from 0 to f
MAX
, with complete independence.
There are no restrictions on the frequency of one clock input with respect to the other.
There are two possible timing modes of operation with these devices: first-word fall-through (FWFT) mode and
standard mode.
In FWFT mode, the first word written to an empty FIFO is clocked directly to the data output lines after three
transitions of the RCLK signal. REN need not be asserted for accessing the first word. However, subsequent
words written to the FIFO do require a low on REN for access. The state of the FWFT/SI input during master
reset determines the timing mode in use.
In standard mode, the first word written to an empty FIFO does not appear on the data output lines unless a
specific read operation is performed. A read operation, which consists of activating REN and enabling a rising
RCLK edge, shifts the word from internal memory to the data output lines.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SN74V293-10GGM | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
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| SN74V293-7GGM | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN75112A | DUAL LINE DRIVERS |
| SN75151DW | QUAD DIFFERENTIAL LINE DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SN74V283-7PZA | 功能描述:先进先出 32768 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V283PZAEP | 功能描述:先进先出 Mil Enhance 32768x18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V293-10GGM | 功能描述:先进先出 65536 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V293-10PZA | 功能描述:先进先出 65536 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V293-15GGM | 功能描述:先进先出 65536 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
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