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参数资料
| 型号： | SPB04N60S5 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| 中文描述： | 酷马鞍山⑩功率晶体管 |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | SPB04N60S5 |
2002-08-12
Page 9
SPP04N60C2, SPB04N60C2
SPA04N60C2
Final data
17 Typ. switching losses
1)
E
=
f
(
R
G
), inductive load,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380V,
V
GS
=0/+13V,
I
D
=4.5A
0
20
40
60
80
100 120 140 160
200
R
G
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.18
mWs
0.22
E
*)
E
on
includes SDP06S60 diode
commutation losses.
1
This chart helps to estimate
the switching power losses.
The values can be different
under other operating conditions.
E
on
*
E
off
18 Avalanche SOA
I
AR
=
f
(
t
AR
)
par.:
T
j
≤
150 °C
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
μs
t
AR
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
A
4.5
I
A
T
j(START)
=125°C
T
j(START)
=25°C
19 Avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 3.6 A,
V
DD
= 50 V
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
j
0
20
40
60
80
100
120
mJ
160
E
A
20 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
540
560
580
600
620
640
660
680
V
720
SPP04N60C2
V
(
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPA04N60C2 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPA04N60C3 | Cool MOS™ Power Transistor |
| SPP04N60C2 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPP04N60C3 | Cool MOS™ Power Transistor |
| SPP04N60S5 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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