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参数资料
| 型号： | SPB08P06P |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | SIPMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | SIPMOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | SPB08P06P |
1999-11-22
Page 5
SPP08P06P
SPB08P06P
Preliminary data
Drain current
I
D
= f (T
C
)
parameter: V
GS
3
10 V
SPP08P06P
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
A
-10
I
D
Power dissipation
P
tot
= f (T
C
)
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
W
50
SPP08P06P
P
t
Transient thermal impedance
Z
thJC
= f (t
p
)
parameter : D = t
p
/T
SPP08P06P
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
Safe operating area
I
D
= f( V
DS
)
parameter : D= 0 , T
C
= 25 °C
SPP08P06P
-10
-1
-10
0
-10
1
-10
2
V
V
DS
-1
-10
0
-10
1
-10
2
-10
A
I
D
R
DSo)
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
100 μs
t
p = 12.0μs
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPP08P06P | SIPMOS Power-Transistor |
| SPB100N08S2-07 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPP100N08S2-07 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPP100N08S2L-07 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPB100N08S2L-07 | OptiMOS Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPB08P06P G | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SPB08P06PG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| SPB08P06PGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 |
| SPB08P06PGXT | 制造商:Infineon 功能描述:-60V,-8.8A,P-channel power MOSFET |
| SPB08P06PNT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
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