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参数资料
| 型号： | SPB08P06P |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | SIPMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | SIPMOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | SPB08P06P |
1999-11-22
Page 8
SPP08P06P
SPB08P06P
Preliminary data
Avalanche energy
E
AS
= f (T
j
)
para.: I
D
= -8.8 A , V
DD
= -25 V, R
GS
= 25
W
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
10
20
30
40
50
60
mJ
80
A
Typ. gate charge
V
GS
= f (Q
Gate
)
parameter: I
D
= -8.8 A pulsed
SPP08P06P
0
2
4
6
8
10
12
nC
15
Q
Gate
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
V
-16
V
G
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
= f (T
j
)
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
T
j
-54
-56
-58
-60
-62
-64
-66
-68
V
-72
SPP08P06P
V
(
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPP08P06P | SIPMOS Power-Transistor |
| SPB100N08S2-07 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPP100N08S2-07 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPP100N08S2L-07 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPB100N08S2L-07 | OptiMOS Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPB08P06P G | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SPB08P06PG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| SPB08P06PGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 |
| SPB08P06PGXT | 制造商:Infineon 功能描述:-60V,-8.8A,P-channel power MOSFET |
| SPB08P06PNT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
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