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参数资料
| 型号： | SPB160N04S2-03 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 297K |
| 代理商： | SPB160N04S2-03 |
2003-05-22
Page 5
SPB160N04S2L-03
5 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 μs
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
V
DS
5
0
40
80
120
160
200
240
280
320
A
380
SPB160N04S2L-03
P
tot
= 300W
I
D
V
GS [V]
a
a
2.8
b
b
3.0
c
c
3.2
d
d
3.4
e
e
3.6
f
f
3.8
g
g
4.0
h
h
4.5
i
i
10.0
6 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
10
SPB160N04S2L-03
0
40
80
120
160
200
240
A
300
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
R
D
V
GS
[V] =
d
3.4
d
e
e
3.6
f
f
3.8
g
g
4.0
h
h
4.5
i
i
10.0
7 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 μs
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
V
GS
4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
200
I
D
8 Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0
20
40
60
80
100 120 140 160
A
200
I
D
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
S
260
g
f
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