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参数资料
| 型号： | SPB80N06S2-09 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 415K |
| 代理商： | SPB80N06S2-09 |
2003-05-09
Page 4
SPI80N06S2L-05
SPP80N06S2L-05,SPB80N06S2L-05
1 Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
≥
4 V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
40
80
120
160
200
240
W
320
SPP80N06S2L-05
P
t
2 Drain current
I
D
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
≥
10 V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
A
90
SPP80N06S2L-05
I
D
4 Max. transient thermal impedance
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter :
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
SPP80N06S2L-05
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
3 Safe operating area
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter :
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
A
SPP80N06S2L-05
I
D
R
D(n
V
D
I
D
1 ms
100 μs
t
p = 26.0μs
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SPP80N06S2-H5 | OptiMOS Power-Transistor |
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| SPB80N06S2L-05 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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| SPB80N06S2L-07 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
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