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参数资料
| 型号： | SPB80N06S2-H5 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 415K |
| 代理商： | SPB80N06S2-H5 |
2003-05-09
Page 5
SPI80N06S2L-05
SPP80N06S2L-05,SPB80N06S2L-05
5 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 μs
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
V
DS
5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
190
SPP80N06S2L-05
P
tot
= 300W
I
D
V
GS [V]
a
a
2.8
b
b
3.0
c
c
3.3
d
d
3.5
e
e
3.8
f
f
4.0
g
g
4.5
h
h
10.0
6 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
SPP80N06S2L-05
0
20
40
60
80
100
A
140
I
D
0
2
4
6
8
10
12
m
16
R
D
V
GS
[V] =
d
3.5
d
e
e
3.8
f
f
4.0
g
g
4.5
h
h
10.0
7 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 μs
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
4
V
GS
0
20
40
60
80
100
120
A
160
I
D
8 Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0
20
40
60
80
100 120 140 160
A
200
I
D
0
20
40
60
80
100
120
140
160
S
200
g
f
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SPB80N06S2L-06 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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