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参数资料
| 型号： | SPP11N60S5 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| 中文描述： | 酷马鞍山⑩功率晶体管 |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | SPP11N60S5 |
2001-07-05
Page 7
SPP11N60C3, SPB11N60C3
SPI11N60C3
Preliminary data
9 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 10 μs
0
2
4
6
8
10
12
V
15
V
GS
0
4
8
12
16
20
24
28
32
A
40
I
D
25°C
150°C
10 Gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j
)
parameter:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 0.5 mA
-60
-20
20
60
100
°C
160
T
j
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
5
V
G
max.
typ.
min.
11 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 11 A pulsed
0
10
20
30
40
50
nC
70
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP11N60C3
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
12 Forward characteristics of body diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 10 μs
2
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
SD
-1
10
0
10
1
10
A
SPP11N60C3
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 150 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPB11N60S5 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPB11N60S5 | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶体管) |
| spp11n60 | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶体管) |
| SPB12N50C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPI12N50C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SPP11N60S5XKSA1 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SPP11N65C3 | 功能描述:MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SPP11N65C3_07 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated |
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